IRF520PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF520 MOS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520PBF; IRF520PBF-BE3; IRF520NPBF; SP001571310;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta