IRF520N
Symbol Micros:
TIRF520n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 9,7A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF520N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
130 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4100 | 3,2400 | 2,6000 | 2,2300 | 2,1000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 9,2A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520PBF;
Producent:
Siliconix
Symbol producenta:
IRF520 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
875 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,3100 | 2,1000 | 1,6600 | 1,5100 | 1,4400 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
IRF520PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520PBF; IRF520PBF-BE3; IRF520NPBF; SP001571310;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRF520PBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
60 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,6000 | 1,6500 | 1,3000 | 1,1800 | 1,1300 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)