IRF540NS

Symbol Micros: TIRF540ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF540NSTRL RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,4900 3,8500 3,2700 2,9900 2,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD