IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
37600 szt.
| ilość szt. | 1600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2259 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4770 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8306 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF540NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
88000 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2770 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-12-12
Ilość szt.: 50
| Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |