IRF540NS SLKOR
Symbol Micros:
TIRF540ns SLK
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | SLKOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | SLKOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF540NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Pozycja dostępna na zamówienie
IRF540NS JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
IRF540NS RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 3,4300 | 2,1500 | 1,7900 | 1,5900 | 1,4900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
IRF540NSTRL UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRF540NSTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy
90 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8600 | 1,5500 | 1,3800 | 1,2900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)