IRF7103TRPBF

Symbol Micros: TIRF7103
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TRPBFXTMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103 RoHS Obudowa dokładna: SOP08  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0900 1,2600 0,9730 0,8780 0,8350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95/950
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
10588 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0900 1,2600 0,9730 0,8780 0,8350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
21740 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-08
Ilość szt.: 8000
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: INTERNATIONAL RECTIFIER
Typ tranzystora: N-MOSFET x2
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SOP08
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 200mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta