IRF7103TRPBF

Symbol Micros: TIRF7103
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
33818 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3900 1,5200 1,2000 1,0900 1,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7103TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3900 1,5200 1,2000 1,0900 1,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1715
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: INTERNATIONAL RECTIFIER
Typ tranzystora: N-MOSFET x2
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SOP08
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 200mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC