IRF7103TR UMW
Symbol Micros:
TIRF7103 UMW
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7103TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7103TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
35813 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5200 | 1,2000 | 1,0900 | 1,0400 |
Sposób pakowania: 4000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7103TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5200 | 1,2000 | 1,0900 | 1,0400 |
Sposób pakowania: 1715
Ilość (wielokrotność 1)