IRF7301
Symbol Micros:
TIRF7301 c
Obudowa: SOP08
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 19mOhm; 7,1A; 2W; -55°C~150°C; IRF7301TRPBF; IRF7301TR(UMW); IRF7301TR-VB; IRF7301TRPBF-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7301TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 6,8400 | 4,7900 | 4,0700 | 3,7200 | 3,6000 |
Sposób pakowania: 95/950
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
285 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 6,8400 | 4,7900 | 4,0700 | 3,7200 | 3,6000 |
Sposób pakowania: 3050
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7301 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
1332 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 6,8400 | 4,7900 | 4,0700 | 3,7200 | 3,6000 |
Sposób pakowania: 1332
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7301TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
Pozycja dostępna na zamówienie