IRF7314TRPBFXTMA1
Symbol Micros:
TIRF7314
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 98mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7314; IRF7314PBF; IRF7314TRPBF; IRF7314TR; IRF7314PBF-GURT; SP001570224 ; SP005828191; IRF7314TRPBFX; LTB:31-JUL-2024 : SP005828191; SP001570224; IRF7314TRPBFXTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 98mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF7314TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
4993 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7200 | 5,3200 | 4,5300 | 4,1600 | 3,9500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 98mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |