IRF7319TRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRF7319 JGS
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF; SP001555176; SP001563414;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRF7319 smd
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRF7319TRBBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
3880 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
| cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,7200 | 5,7200 | 5,2600 | 4,9900 |
Sposób pakowania: 4000
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7319TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF; SP001555176; SP001563414;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRF7319TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 | 1,4400 | 1,1100 | 0,9980 | 0,9500 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)