IRF7341

Symbol Micros: TIRF7341
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7341TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
86 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 402+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4200 1,1600 1,0200 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
402
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF7341TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4400 1,1100 0,9980 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7341TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7341TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF7341TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
65300 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7018
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-16
Ilość szt.: 1000
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD