IRF9Z24PBF

Symbol Micros: TIRF9Z24
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 11A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF9Z24 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5200 2,2300 1,7600 1,6000 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9Z24PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta