IRF9Z24N
Symbol Micros:
TIRF9Z24n
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 175mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF9Z24NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6800 | 1,3200 | 1,2000 | 1,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z24NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1650 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z24NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
7719 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF9Z24NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1170 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1832 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-02-20
Ilość szt.: 200
Rezystancja otwartego kanału: | 175mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |