IRF9Z24N

Symbol Micros: TIRF9Z24n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z24NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1650 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
7719 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1170 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1832
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-02-20
Ilość szt.: 200
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT