IRFR220 smd

Symbol Micros: TIRFR220
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR220PBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFR220 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,4000 1,4500 1,0800 0,9920 0,9580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFR220PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
600 szt.
ilość szt. 75+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,9580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFR220PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
3246 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,0374
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD