IRFR220NTRPBF
Symbol Micros:
TIRFR220n
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
210 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5300 | 1,6000 | 1,2600 | 1,1500 | 1,1000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
1300 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5300 | 1,6000 | 1,2600 | 1,1500 | 1,1000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |