IRFR5410 smd
Symbol Micros:
TIRFR5410
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0300 | 1,6000 | 1,4600 | 1,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
3800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4365 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6729 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
106311 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7590 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
32000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3900 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-09-11
Ilość szt.: 150
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |