IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 205mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR5410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0000 1,6000 1,4300 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
3750 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,4456
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,8311
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
56000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 205mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD