IRFR5410TRPBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRFR5410 JSM
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFR5410 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
43 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 450+ |
| cena netto (PLN) | 5,0000 | 3,3200 | 2,7500 | 2,4800 | 2,3800 |
Sposób pakowania: 450
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
15000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
128000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
9000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3800 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)