DHZ24 DONGHAI
Symbol Micros:
TIRFZ24 DH
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; SP001565128;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 50mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Donghai |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRFZ24N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 70mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; IRFZ24NTRPBF; IRFZ24NSTRLPBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRFZ24N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
26 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 600+ |
| cena netto (PLN) | 3,2700 | 2,0600 | 1,6200 | 1,4700 | 1,4200 |
Sposób pakowania: 50/600
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFZ24N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
900 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 1,4200 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
IRFZ24N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
1500 szt.
| Ilość szt. | 400+ |
| cena netto (PLN) | 1,4200 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFZ24N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
6044 szt.
| Ilość szt. | 700+ |
| cena netto (PLN) | 1,4200 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)