IRLML2060

Name: TIRLML2060 TIRLML2060
Brand: Infineon
SKU: TIRLML2060
Price: 0.444000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLML2060

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 640mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	640mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,2A
Maksymalna tracona moc:	1,25W
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

19910 szt.

ilość szt.	3+	20+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	1,2200	0,6480	0,5020	0,4640	0,4440

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

11900 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4440

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

339000 szt.

ilość szt.	9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4440

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

312000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4440

Rezystancja otwartego kanału:	640mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,2A
Maksymalna tracona moc:	1,25W
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	16V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	2000+
cena netto (PLN)	0,9800	0,5410	0,3580	0,2980	0,2800