IRLML2060TR UMW
Symbol Micros:
TIRLML2060 UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 99mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TRPBF; SP001578644;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML2060
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 640mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2060TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
19910 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2200 | 0,6480 | 0,5020 | 0,4640 | 0,4440 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2060TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
339000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4440 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2060TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
312000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4440 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2060TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
11900 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,4440 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)