IRLML5103

Symbol Micros: TIRLML5103

Obudowa: SOT23

Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103PBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	1Ohm
Maksymalny prąd drenu:	760mA
Maksymalna tracona moc:	540mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML5103TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

693 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,9280	0,5130	0,3410	0,2850	0,2650

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML5103TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

84000 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2840

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML5103TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

255000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2650

Rezystancja otwartego kanału:	1Ohm
Maksymalny prąd drenu:	760mA
Maksymalna tracona moc:	540mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	2000+
cena netto (PLN)	0,8510	0,4300	0,2590	0,2050	0,1890