IRLML5103

Symbol Micros: TIRLML5103
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1Ohm
Maksymalna tracona moc: 540mW
Maksymalny prąd drenu: 760mA
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML5103TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
693 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9280 0,5130 0,3410 0,2850 0,2650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 1Ohm
Maksymalna tracona moc: 540mW
Maksymalny prąd drenu: 760mA
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta