IRLML5103TR UMW
Symbol Micros:
TIRLML5103 UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103GTRPBF; SP001572946; SP001568594;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 760mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 760mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML5103
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103TRPBF; IRLML5103PBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML5103TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
693 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9280 | 0,5130 | 0,3410 | 0,2850 | 0,2650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML5103TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
195000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML5103TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
80000 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,2841 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)