IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1780 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6310 0,4190 0,3500 0,3260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
41 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6310 0,4190 0,3500 0,3260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-07-10
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD