Rezystancja otwartego kanału:
|
135mOhm |
Maksymalny prąd drenu:
|
3,7A |
Maksymalna tracona moc:
|
1,3W |
Obudowa:
|
SOT23 |
Producent:
|
INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło:
|
20V |
Typ tranzystora:
|
P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło:
|
12V |
Temperatura pracy (zakres):
|
-55°C ~ 150°C |
Montaż:
|
SMD |
Opis szczegółowy
Tranzystor MOSFET P-kanałowy IRLML6402TRPBF
IRLML6402TRPBF (symbol Micros: TIRLML6402) to wysokiej jakości tranzystor polowy MOSFET z kanałem P, produkowany przez firmę Infineon. Komponent ten charakteryzuje się solidną konstrukcją w obudowie SMD typu SOT23, co zapewnia miniaturyzację układów oraz efektywne odprowadzanie ciepła. Dzięki swoim parametrom jest on idealny do zastosowań, w których wymagane jest szybkie przełączanie sygnałów w obwodach o niskim i średnim napięciu.
Kluczowe cechy i możliwości tranzystora IRLML6402TRPBF
-
Typ: Tranzystor P-MOSFET
-
Maksymalne napięcie Dren-Źródło (Vdss): 20V
-
Maksymalny prąd Drenu (Id): 3,7A
-
Rezystancja otwartego kanału (Rds(on)): 135 mΩ
-
Maksymalne napięcie Bramka-Źródło (Vgs): 12V
-
Obudowa: SOT23
-
Maksymalna moc tracona (Pd): 1.3W
-
Producent: Infineon
Typowe zastosowania tranzystora IRLML6402TRPBF
Dostępny w naszej ofercie tranzystor powstał z myślą o:
-
układach sterujących – dokładnie o systemach zarządzania zasilaniem w laptopach i urządzeniach przenośnych;
-
ładowarkach i przetwornicach DC/DC – gdzie może być stosowany jako element przełączający w wydajnych zasilaczach;
-
sterownikach silników – gdzie występuje w układach H-bridge i innych sterownikach silników o niskiej mocy;
-
elektronice użytkowej – a konkretnie o aplikacjach, w których ważna jest miniaturyzacja i niska rezystancja.
Zachęcamy do zapoznania się z pełną specyfikacją układu na stronie producenta oraz do skorzystania z naszej oferty na ten i inne komponenty elektroniczne. W przypadku pytań, nasz zespół techniczny służy pomocą.