IRLML6402TRPBF tranzystor P-Mosfet  SOT23 Infineon SMD

Symbol Micros: TIRLML6402
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 135mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6402TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
4513 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5700 0,8620 0,6780 0,6280 0,6020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
4561 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
326800 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 135mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,7A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Tranzystor MOSFET P-kanałowy IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF (symbol Micros: TIRLML6402) to wysokiej jakości tranzystor polowy MOSFET z kanałem P, produkowany przez firmę Infineon. Komponent ten charakteryzuje się solidną konstrukcją w obudowie SMD typu SOT23, co zapewnia miniaturyzację układów oraz efektywne odprowadzanie ciepła. Dzięki swoim parametrom jest on idealny do zastosowań, w których wymagane jest szybkie przełączanie sygnałów w obwodach o niskim i średnim napięciu.

Kluczowe cechy i możliwości tranzystora IRLML6402TRPBF

  • Typ: Tranzystor P-MOSFET
  • Maksymalne napięcie Dren-Źródło (Vdss): 20V
  • Maksymalny prąd Drenu (Id): 3,7A
  • Rezystancja otwartego kanału (Rds(on)): 135 mΩ
  • Maksymalne napięcie Bramka-Źródło (Vgs): 12V
  • Obudowa: SOT23
  • Maksymalna moc tracona (Pd): 1.3W
  • Producent: Infineon

Typowe zastosowania tranzystora IRLML6402TRPBF

Dostępny w naszej ofercie tranzystor powstał z myślą o:

  • układach sterujących – dokładnie o systemach zarządzania zasilaniem w laptopach i urządzeniach przenośnych;
  • ładowarkach i przetwornicach DC/DC – gdzie może być stosowany jako element przełączający w wydajnych zasilaczach;
  • sterownikach silników – gdzie występuje w układach H-bridge i innych sterownikach silników o niskiej mocy;
  • elektronice użytkowej – a konkretnie o aplikacjach, w których ważna jest miniaturyzacja i niska rezystancja.

Zachęcamy do zapoznania się z pełną specyfikacją układu na stronie producenta oraz do skorzystania z naszej oferty na ten i inne komponenty elektroniczne. W przypadku pytań, nasz zespół techniczny służy pomocą.