IRLML6402TRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLML6402 CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: IRLML6402TRPBF-CN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8200 0,3890 0,2190 0,1660 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 73mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD