IRLR024N
Symbol Micros:
TIRLR024n
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7900 | 0,9950 | 0,7850 | 0,7130 | 0,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR024NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR024NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
1386000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6902 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR024NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
276000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7186 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR024NTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLR024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
5 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 1,9800 | 1,4300 | 1,0300 | 0,8480 | 0,7890 |
Sposób pakowania: 5
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLR024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
391 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 391+ |
| cena netto (PLN) | 1,9800 | 1,1800 | 0,9640 | 0,8480 | 0,7900 |
Sposób pakowania: 391
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLR024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
109 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 109+ | 436+ |
| cena netto (PLN) | 1,9800 | 1,1800 | 0,9640 | 0,8430 | 0,7870 |
Sposób pakowania: 109
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR024NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLR024NPBF-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7900 | 1,1800 | 0,8420 | 0,7360 | 0,6900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR024NTRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Pozycja dostępna na zamówienie