IRLR024NPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLR024n HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRLR024NPBF-HXY RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7900 1,1800 0,8420 0,7360 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD