IRLR2705TRPBF

Symbol Micros: TIRLR2705
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2705TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
1595 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0300 1,6000 1,4600 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2705TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2705TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD