IRLR2705-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRLR2705 CNB
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 30A; 27,7W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRRPBF; SP001577018; SP001552768; SP001578864; SP001558392;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 27,7W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 27,7W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR2705TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; PTD30N06;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2705TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
1535 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2400 | 1,3600 | 1,0400 | 0,9410 | 0,8950 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2705TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
18000 szt.
| Ilość szt. | 4000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8950 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2705TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
2450 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 0,9653 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2705TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
18000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9731 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)