IRLR3114Z

Symbol Micros: TIRLR3114z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 6,5mOhm; 130A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3114ZPBF; IRLR3114ZTRPBF; IRLR3114ZPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3114ZTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
138 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 4,3900 2,9100 2,4000 2,1600 2,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 6,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta