IRLR3114ZTRPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRLR3114z MOS
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 120A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3114ZPBF; IRLR3114ZTRPBF; SP001568538; SP001569142;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 52,1W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 52,1W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR3114Z
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 6,5mOhm; 130A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3114ZPBF; IRLR3114ZTRPBF; IRLR3114ZPBF-GURT;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR3114ZTRPBF
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
2900 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 2,0900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR3114ZTRPBF
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
288 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
| cena netto (PLN) | 4,3900 | 2,9100 | 2,4000 | 2,1600 | 2,0900 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)