IRLZ34N
Symbol Micros:
TIRLZ34
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 30A |
Maksymalna tracona moc: | 68W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4400 | 1,9100 | 1,8000 | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
8512 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,6900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 30A |
Maksymalna tracona moc: | 68W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |