IRLZ34N
Symbol Micros:
TIRLZ34
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4400 | 1,9100 | 1,8000 | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
29454 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6790 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |