IRLZ34N UMW
Symbol Micros:
TIRLZ34 UMW
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4400 | 1,9100 | 1,8000 | 1,6900 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
3370 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
3700 szt.
| Ilość szt. | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLZ34N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
8512 szt.
| Ilość szt. | 500+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)