LGE50N06D TO252 LGE
Symbol Micros:
TLGE50N06D
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D;
Odpowiedniki
SUD50N06-09L-E3 Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D;
Producent:
Siliconix
Symbol producenta:
SUD50N06-09L-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
| cena netto (PLN) | 7,4500 | 5,9000 | 5,0200 | 4,6100 | 4,3800 |
Sposób pakowania: 2100
Ilość (wielokrotność 1)
NDT70N06 TO252 KEXIN
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: SUD50N06-09L-E3;
Pozycja dostępna na zamówienie