SUD50N06-09L-E3 Vishay
Symbol Micros:
TSUD50N06-09L
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 136W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SUD50N06-09L-E3 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,1600 | 6,4700 | 5,5100 | 5,0600 | 4,8000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 136W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |