MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |