MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | TO252 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1980 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1200 | 1,2900 | 0,9890 | 0,8920 | 0,8490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD31CT4G
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD31CT4G
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
175000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD31CT4G
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
115000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8490 |
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | TO252 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
MJD31CT4 STM
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJD31CT4
Obudowa dokładna:
TO252
Stan magazynowy
317500 szt.
| Ilość szt. | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4997 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJD31CT4
Obudowa dokładna:
TO252
Stan magazynowy
110000 szt.
| Ilość szt. | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,4875 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJD31CT4
Obudowa dokładna:
TO252
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,4256 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Tranzystor NPN; 50; 1,6W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
MJD31CJ RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,1700 | 1,2000 | 0,9490 | 0,8940 | 0,8660 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
MJD31C YZPST
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Producent:
YZPST
Symbol producenta:
MJD31C RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
105 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 15+ | 75+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,6500 | 0,9720 | 0,7390 | 0,6650 | 0,6330 |
Sposób pakowania: 75/300
Ilość (wielokrotność 1)
MJD31C JSMICRO
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
MJD31C RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
260 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,5300 | 1,0100 | 0,7240 | 0,6200 | 0,5900 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)