MJD31CT4G

Symbol Micros: TMJD31c ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1440 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2000 1,3300 1,0200 0,9230 0,8780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CG Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnętrzny:
3450 szt.
ilość szt. 375+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3384
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CT4G Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnętrzny:
80000 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,8780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-04-30
Ilość szt.: 2500
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta