MJD31CT4G

Symbol Micros: TMJD31c ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
700 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 550+
cena netto (PLN) 2,2000 1,3300 1,0100 0,9140 0,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
700
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
550 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 550+
cena netto (PLN) 2,2000 1,3300 1,0100 0,9140 0,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
550
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 550+
cena netto (PLN) 2,2000 1,3300 1,0100 0,9140 0,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN