MJD31CG ONS
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G;
Parametry
| Moc strat: | 1,56W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Moc strat: | 1,56W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
MJD31CT4 STM
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Pozycja dostępna na zamówienie
MJD31C YZPST
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Producent:
YZPST
Symbol producenta:
MJD31C RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
105 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 15+ | 75+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,7900 | 1,0600 | 0,8060 | 0,7250 | 0,6900 |
Sposób pakowania: 75/300
Ilość (wielokrotność 1)