MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MJD31CT4G RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
700 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 550+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2000 | 1,3300 | 1,0100 | 0,9140 | 0,8800 |
| Moc strat: | 1,56W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |