MJD31C YZPST
Symbol Micros:
TMJD31c YZP
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Parametry
| Moc strat: | 15W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Producent: | YZPST |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Moc strat: | 15W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Producent: | YZPST |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
MJD31CT4 STM
Tranzystor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Pozycja dostępna na zamówienie
MJD31CG ONS
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
MJD31CT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
Stan magazynowy
2350 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2000 | 1,3300 | 1,0200 | 0,9240 | 0,8790 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)