MJD45H11T4G JSMICRO
Symbol Micros:
TMJD45h11t4 JSM
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor PNP; 60; 50W; 80V; 8A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11G; MJD45H11T4G; MJD45H11T4; MJD45H11J; MJD45H11-13;
Parametry
| Moc strat: | 50W |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Moc strat: | 50W |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
MJD45H11T4
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11T4G;
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
MJD45H11T4G RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
Stan magazynowy
1828 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,5000 | 1,5100 | 1,1600 | 1,0500 | 0,9980 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)