MMBT2369ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2369a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT2369ALT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5070 0,2330 0,1270 0,0947 0,0845
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta