MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBT4401LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3290 0,1270 0,0619 0,0492 0,0470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN