MMBT4401LT1G
Symbol Micros:
TMMBT4401lt
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MMBT4401LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3290 | 0,1270 | 0,0619 | 0,0492 | 0,0470 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBT4401-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
192000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0485 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MMBT4401LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
250000 szt.
| ilość szt. | 50000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0470 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |