MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4401LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0377
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT4401LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN