MMDT5551 MERRY

Symbol Micros: TMMDT5551 MER
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: MERRY
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Producent: MERRY Symbol producenta: MMDT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,2060 0,1120 0,0840 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: MERRY
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN