MMDT5551 SLKOR
Symbol Micros:
TMMDT5551 SLK
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 300; 200mW; 180V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 180V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 180V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |
Odpowiedniki
MMDT5551-7-F
Tranzystor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
MMDT5551-7-F RoHS .K4N
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
2800 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8870 | 0,4500 | 0,2720 | 0,2160 | 0,1970 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
MMDT5551-7-F RoHS .K4N
Obudowa dokładna:
SOT363
Stan magazynowy
36000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1970 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
MMDT5551-7-F RoHS .K4N
Obudowa dokładna:
SOT363
Stan magazynowy
27000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2068 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)