MMST5401 MERRY

Symbol Micros: TMMST5401 MER
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 300; 200mW; 150V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMST5401-7-F; MMST5401-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: MERRY
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Producent: MERRY Symbol producenta: MMST5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3140 0,1210 0,0591 0,0470 0,0449
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: MERRY
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta