MMBT5401W SHIKUES
Symbol Micros:
TMMST5401 SHK
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 300; 200mW; 150V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMST5401-7-F; MMST5401-TP;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SHIKUES |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SHIKUES |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
MMST5401 SLKOR
Tranzystor PNP; 300; 200mW; 150V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMST5401-7-F; MMST5401-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
MMST5401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3580 | 0,1410 | 0,0823 | 0,0602 | 0,0550 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)