SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC
Symbol Micros:
TSI2333ds TEC
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |