SPW47N60C3
Symbol Micros:
TSPW47N60C3
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 160mOhm; 47A; 415W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik :STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 47A |
| Maksymalna tracona moc: | 415W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 47A |
| Maksymalna tracona moc: | 415W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |