STP10NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP10NK60ZFP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP10NK60ZFP RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6100 3,9300 3,1400 2,9900 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-04-19
Ilość szt.: 1000
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT