STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TSTP10NK60ZFP CNB
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP10NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
Stan magazynowy
883 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 5,6100 | 4,2800 | 3,5400 | 3,1000 | 2,9500 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP10NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 200+ |
| cena netto (PLN) | 2,9500 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)