STP55NF06
Symbol Micros:
TSTP55NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1430 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,1100 | 1,6700 | 1,5200 | 1,4500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
280 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6390 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
10410 szt.
| ilość szt. | 1250+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3800 szt.
| ilość szt. | 450+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |