STP55NF06

Symbol Micros: TSTP55NF06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1640 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4500 1,9300 1,7600 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
12812 szt.
ilość szt. 350+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
10410 szt.
ilość szt. 1250+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta