STP55NF06

Symbol Micros: TSTP55NF06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
950 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4900 3,3000 2,6500 2,2700 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP55NF06 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1154 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT