YFW60N06AT TO220 YFW
Symbol Micros:
TYFW60N06AT YFW
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 60A; 75W; -55°C ~ 150°C; PODOBNY DO: STP55NF06;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
STP55NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT;
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP55NF06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
1640 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,8600 | 2,4500 | 1,9300 | 1,7600 | 1,6800 |
Sposób pakowania: 50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP55NF06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
10410 szt.
| Ilość szt. | 1250+ |
| cena netto (PLN) | 1,6800 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
STP55NF06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
12812 szt.
| Ilość szt. | 350+ |
| cena netto (PLN) | 1,6800 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
STP55NF06-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 50A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP55NF06 STMicroelectronics;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
STP55NF06-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5000 | 1,1500 | 1,0400 | 0,9900 |
Sposób pakowania: 50/200
Ilość (wielokrotność 1)