TSM2301ACX RFG

Symbol Micros: TTSM2301cx
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; obsolete; replaced by : TSM650P02CX RFG; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem będzie: TSM650P02CX;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol producenta: TSM2301ACX RFG RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7140 0,5530 0,5110 0,4890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000/144000
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol producenta: TSM2301CX RFG RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7140 0,5530 0,5110 0,4890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-09-30
Ilość szt.: 12000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-15
Ilość szt.: 12000
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta